Skip navigation

Browsing by Subject микроэлектроника

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 20 of 119  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
20193D NAND-технология для изготовления flash-памятиКотов, Е. Г.
2018Автоматизация технологического процесса производства окисных пленок в микроэлектроникеГомза, Е. С.
2015Алгоритмизация бесколлизионных перемещений планарных позиционеров универсального сборочного модуляПоляковский, В. В.; Бегун, Д. Г.; Дайняк, И. В.
2021Анализ механизмов нарушающих функционирование микросхемДаниленко, А. В.
2005Анализ микроэлектронных структур с высоким пространственным разрешениемЕмельянов, В. А.; Пономарь, В. Н.; Ухов, В. А.; Лесникова, В. П.
2023Анализ особенностей плазменной очистки и модификации поверхностей оптических элементовСмурага, Е. С.
2014Блочно-модульное построение систем перемещений спецтехнологического оборудования микроэлектроникиПоляковский, В. В.; Бегун, Д. Г.; Нестеренко, В. Н.
2008Гидродинамические особенности электрохимической металлизации рельефных микроповерхностейСтолер, В. А.
2021Гурский Леонид ИльичЖукова, Е. В.
2006Двухкоординатная система перемещений для сборочного оборудования производства изделий микроэлектроникиАзентани, Дау Мохамед
2023Закономерности формирования и свойства композитных материалов на основе оксидов переходных металловГреков, И. А.
2020Золь-гель синтез пленок титаната бария и титаната стронция для применения в структурах нанофотоники и микроэлектроникиХолов, П. А.
2020Инновационные методы обучения микро- и наноэлектроникеКарманова, О. А.
1982Интегральный биполярный транзисторМатсон, Э. А.; Галузо, В. Е.
2020Исполнительные механизмы параллельной кинематики на гибридном кольцевом приводеКарпович, С. Е.; Поляковский, В. В.; Обиходов, П. А.; Димидко, И. А.; Евдаков, А. А.
2021Использование пакета ATHENA в рамках изучения дисциплины «Моделирование и оптимизация технологических процессов и элементов микроэлектронных устройств»Швец, А. А.
2023Исследование влияния газовой среды при реактивном магнетронном распылении на распределение электрофизических свойств и толщины пленок оксидовНгуен Ван Ту Ань
2012Кинетика зарождения и роста плотного анодного оксида алюминияСокол, В. А.; Яковцева, В. А.; Чушкова, Д. И.
1981Конденсатор постоянной емкостиЛифанов, Д. В.
2021Контактно-барьерные структуры субмикронной электроникиДостанко, А. П.; Богуш, Н. В.; Бордусов, С. В.; Василевич, В. П.; Гульпа, Д. В.; Збышинская, М. Е.; Ковальчук, Н. С.; Кузьмар, И. И.; Кушнер, Л. К.; Ланин, В. Л.; Мадвейко, С. И.; Петлицкий, А. Н.; Петухов, И. Б.; Соловьев, Я. А.; Телеш, Е. В.; Тихон, О. И.