Skip navigation

Просмотр собрания по группе - Авторы Abramov, I. I.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 4 из 4
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2004Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной моделиАбрамов, И. И.; Гончаренко, И. А.; Коломейцева, Н. В.; Abramov, I. I.; Goncharenko, I. A.; Kolomejtseva, N. V.
2004Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диодаАбрамов, И. И.; Гончаренко, И. А.; Abramov, I. I.; Goncharenko, I. A.
2015Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.
2014Моделирование функционально-интегрированных структур на основе углеродных нанотрубокАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Басаев, А. С.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.; Basaev, A. S.