Skip navigation

Browsing by Author Коломейцева, Н. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 16 of 16
Issue DateTitleAuthor(s)
2023Алгоритм и программа, реализующие модель полевых транзисторов на двухслойном графенеАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Щербакова, И. Ю.
2023Алгоритм и программа, реализующие модель резонансно-туннельных гетероструктур, содержащих 2D-материалы, с вертикальным транспортомАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.; Щербакова, И. Ю.
2004Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной моделиАбрамов, И. И.; Гончаренко, И. А.; Коломейцева, Н. В.
2023Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированиемАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Щербакова, И. Ю.
2017Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворамиАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.
2023Моделирование приборных структур наноэлектроники на основе 2D-материаловАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Щербакова, И. Ю.
2015Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.
2022Моделирование резонансно-туннельных приборных структур на основе углеродных наноматериаловАбрамов, И. И.; Лабунов, В. A.; Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.
2016Моделирование резонансно-туннельных структур на основе графена : отчет о НИР (заключ.)Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.; Абрамов, И. И.; Щербакова, И. Ю.
2014Моделирование резонансно-туннельных структур на основе углеродных нанотрубок : отчет о НИР (заключ.)Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.; Климович, А. Г.
2014Моделирование функционально-интегрированных структур на основе углеродных нанотрубокАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Басаев, А. С.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.; Basaev, A. S.
2012Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями : отчет о НИР (заключ.)Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Щербакова, И. Ю.
2015Разработка моделей для расчета электрофизических свойств квантово-размерных наноструктур на основе графена, функционирующих на эффекте резонансного туннелирования : отчет о НИР (заключ.)Абрамов, И. И.; Романова, И. А.; Коломейцева, Н. В.
2013Разработка моделей, методов и программного обеспечения для моделирования электрофизических свойств квантово-размерных наноструктур, включая их двумерные массивы, функционирующих на эффектах одноэлектронного и резонансного туннелирования: отчет о НИР (заключ.)Абрамов, И. И.; Романова, И. А.; Коломейцева, Н. В.; Щербакова, И. Ю.
2015Разработка принципов построения радиоприемных устройств на основе углеродных нанотрубок : отчет о НИР (заключ.)Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.
2019Численное моделирование трехбарьерных резонансно-туннельных диодов на основе графенаАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Щербакова, И. Ю.