Skip navigation

Browsing by Author Кривошеева, А. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 17 to 36 of 37 < previous   next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2016Компьютерное моделирование энергетических зон и оптических параметров дихалькогенидов оловаШапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2017Магнитное упорядочение в гетероструктурах на основе двумерных кристаллов дихалькогенидов тугоплавких металлов, легированных марганцемКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2023Магнитное упорядочение в легированных гетероструктурах из двумерных кристаллов дисульфида молибдена и фосфоренаКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2017Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединенийКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2007Многокристальный квантовый вычислительный модульКоролев, А. В.; Андреенко, А. В.; Кривошеева, А. В.; Данилюк, А. Л.; Борисенко, В. Е.
2016Моделирование наноразмерных объектов на основе сульфида олова и оксида цинка и установление изменения их электронных и оптических свойств за счет модификации структуры : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.
2017Моделирование спектра фононов в трехкомпонентных двумерных кристаллах дихалькогенидов тугоплавких металловАлексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2023Моделирование электронных свойств одномерных систем на основе сульфида оловаШапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.
2016Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллураКривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016Перспективные полупроводниковые соединения и наноструктуры для оптоэлектроники, фотовольтаики и спинтроникиКривошеева, А. В.
2004Полупроводниковые силициды: свойства и перспективы примененияФилонов, А. Б.; Иваненко, Л. И.; Мигас, Д. Б.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Кривошеев, А. Е.; Борисенко, В. Е.
2014Разработка новых полупроводниковых материалов на основе соединений aivbvi и aiibivcv2 для оптоэлектронных систем обработки информации : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.
2016Расчет фононных спектров двумерных кристаллов дисульфида и дителлурида молибденаБорисенко, В. Е.; Алексеев, А. Ю.; Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2016Расчет электронных энергетических зон и оптических параметров сульфидов оловаШапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2011Создание национальной системы электронных образовательных ресурсов по основным отраслям знаний. Информационно-образовательный интернет-сайт по нанотехнологиям и наноматериалам : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Лешок, А. А.; Шапошников, В. Л.; Мигас, Д. Б.; Кривошеева, А. В.; Данилюк, А. Л.; Волчек, С. А.; Подрябинкин, Д. А.; Пушкарчук, В. А.
2022Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.
2016Теоретическое моделирование свойств разбавленных полупроводников Cuin5s8 и Fein2s4 и исследование возможностей их легирования для использования в спинтронике : отчет о НИР (заключ.)Бондаренко, В. Е.; Кривошеева, А. В.; Юрченко, С. Г.; Алексеев, А. Ю.; Баглов, А. В.; Яцыно, Д. А.; Ларченко, М. В.
2015Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.)Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016Электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnSШапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.
2018Электронная структура, оптические и магнитные свойства полупроводниковых соединений AIIBIVCV2, AI2BIVCVI3, AIVBVI, AVIBVI2Кривошеева, А. В.