Skip navigation

Browsing by Author Мищенко, В. Н.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 21 to 40 of 57 < previous   next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2005Методическое пособие к практическим занятиям по дисциплинам «Направляющие системы телекоммуникаций» и «Направляющие системы и пассивные компоненты» для студентов специальностей 45 01 01 «Многоканальные системы телекоммуникаций», 45 01 02 «Радиосвязь, радиовещание и телевидение», 45 01 03 «Сети и устройства телекоммуникаций» всех форм обученияМищенко, В. Н.
2018Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2022Моделирование из первых принципов параметров и характеристик гидрированного графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.; Митрофанов, А. Д.; Павлюченко, Н. Н.; Филоненко, Д. А.
2018Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2020Моделирование выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием графена и гексогонального нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2015Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-КарлоМищенко, В. Н.
2023Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтораМищенко, В. Н.
2023Моделирование из первых принципов свойств графена модифицированного атомами фтораМищенко, В. Н.; Матусевич, П. А.; Митрофанов, А. Д.; Сурвило, И. С.
2013Моделирование плазменных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах при низких температурах: отчет о НИР (заключ.)Муравьев, В. В.; Тамело, А. А.; Кореневский, С. А.; Шалатонин, В. И.; Мищенко, В. Н.; Молодкин, Д. Ф.; Журавлев, Д. В.; Матвеев, Д. И.; Лебедев, В. М.
2012Моделирование процессов переноса электронов в гетероструктурах GaAs–AlxGa1–XAsМищенко, В. Н.
2016Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaNМищенко, В. Н.
2017Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремнияМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2020Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2018Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в арсениде галлия методом Монте-КарлоМищенко, В. Н.
2015Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлияМищенко, В. Н.
2017Моделирование транзисторных структур с использованием монослоя графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2014Моделирование шумовых характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧМищенко, В. Н.
2017Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2014Организация сети сотовой связи поколения 3G при использовании Self-Organized NetworksМошкарев, Г. А.; Мищенко, В. Н.
2014Оценка параметров электромагнитной совместимости сетей сотовой связи GSM 900/1800 и UMTSПлякин, П. Б.; Мищенко, В. Н.