Skip navigation

Просмотр собрания по группе - Авторы Турцевич, А. С.

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 16 из 16
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2007Бессвинцовая припойная композиция для сборки полупроводниковых приборовЛанин, В. Л.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С.; Lanin, V. L.; Kerentsev, A. F.; Turtsevich, A. S.
2016Влияние температуры отжига на сегнетоэлектрические свойства легированного ниобием танталата стронция-висмутаГолосов, Д. А.; Завадский, С. М.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.; Окоджи, Д. Е.
2014Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методомСохраби Анараки, Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.
2013Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техникиСохраби Анараки, Х.; Гапоненко, Н. В.; Завадский, С. М.; Руденко, М. В.; Голосов, Д. А.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.; Колосницын, Б. С.
2014Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диоидов ШотткиСолодуха, В. А.; Баранов, В. В.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Сарычев, О. Э.; Соловьев, Я. А.; Турцевич, А. С.; Фоменко, Н. К.
2007Классификация процессов химического осаждения из газовой фазы функциональных слоевТурцевич, А. С.; Turcevich, A. S.
2007Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 3.Емельянов, В. А.; Ануфриев, Л. П.; Достанко, А. П.; Бордусов, С. В.; Гурский, Л. И.; Ланин, В. Л.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Портнов, Л. Я.; Коробко, А. О.; Король, И. П.; Борисик, А. В.; Осипов, А. А.
2016Особенности корпусирования герметичных интегральных схемЛанин, В. Л.; Турцевич, А. С.; Керенцев, А. Ф.
2004Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхемКоробко, Ю. О.; Достанко, А. П.; Турцевич, А. С.; Korobko, Y. O.; Dostanko, A. P.; Turtsevich, A. S.
2006Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроникиТурцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Ануфриев, Д. Л.; Мильчанин, О. В.; Turtsevich, A. S.; Solovjov, J. A.; Anufriev, D. L.; Milchanin, O. V.
2005Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернамиТурцевич, А. С.; Ануфриев, Л. П.; Наливайко, О. Ю.; Лесникова, В. П.; Turtsevich, A. S.; Anufriev, L. P.; Nalivaiko, O. Y.; Lesnikova, V. P.
2014Повышение надежности транзисторов в металлокерамических микрокорпусахТурцевич, А. С.; Волкенштейн, С. С.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А.
2013Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействияЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Турцевич, А. С.; Шелибак, И.
2008Сборка силовых полупроводниковых приборов с бессвинцовой припойной композициейЛанин, В. Л.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С.
2016Сегнетоэлектрические свойства пленок легированного ниобием танталата стронция-висмутаГолосов, Д. А.; Завадский, С. М.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.
2017Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукциейЛагунович, Н. Л.; Борздов, В. М.; Турцевич, А. С.; Lagunovich, N. L.; Borzdov, V. M.; Turtsevich, A. S.