Репозиторий БГУИР: Browsing DSpace

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:

Showing results 1 to 20 of 30 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2022	Арсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный транзистор	Кратович, П. С.; Тернов, Р. Е.
2021	Выбор имитационных факторов для моделирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности	Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.; Боровиков, С. М.; Borovikov, S. M.
2006	Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий	Боровиков, С. М.; Бересневич, А. И.; Шалак, А. В.
1982	Интегральный биполярный транзистор	Матсон, Э. А.; Галузо, В. Е.
2012	Использование напряжения коллектор–эмиттер в качестве имитационного фактора для прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов	Бересневич, А. И.
2013	Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов	Бересневич, А. И.; Бондаренок, П. А.; Бруй, А. А.
2005	Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов	Бересневич, А. И.; Боровиков, С. М.
1999	Лабораторный практикум по курсу "Электронные приборы" для студентов всех специальностей БГУИР. В 2 Ч. Ч. 2. Аналоговые и импульсные устройства	Бельский, А. Я.; Березовский, В. К.; Валенко, В. С.; Дробот, С. В.; Дунаева, Г. П.; Мельников, В. А.; Путилин, В. Н.; Русакович, В. Н.; Ткаченко, Ф. А.; Хандогин, М. С.
2023	Метод прогнозирования электрического функционального параметра биполярных транзисторов для длительных наработок	Калита, Е. В.
2015	Модели на основе распределения Вейбулла-Гнеденко для описания деградации функциональных параметров изделий электронной техники	Боровиков, С. М.; Borovikov, S. M.
2022	Моделирование постепенных отказов биполярных транзисторов с использованием электрических нагрузок в качестве имитационного воздействия	Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2010	Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора	Шелибак, И. М.
2022	Моделирование электрического параметра транзисторов при прогнозировании их надежности методом имитационных воздействий	Боровиков, С. М.; Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2022	Модель прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности методом имитационных воздействий для аппаратуры систем телекоммуникаций	Боровиков, С. М.; Будник, А. В.; Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2008	Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы : учеб. - метод. пособие	Колосницын, Б. С.
2007	Надежность и контроль качества интегральных схем : лаборатор. практикум для студентов специальности I-41 01 02 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» для днев. и заоч. форм обучения	Колосницын, Б. С.; Стешенко, П. П.; Уткина, Е. А.
2009	Основы компьютерного проектирования : метод. указания и контр. задания для студентов специальности 1-39 01 01 «Радиотехника» заоч. формы обучения	Шатило, Н. И.
2016	Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем	Колосницын, Б. С.; Гапоненко, Н. В.
2016	Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 2 : Мощные полупроводниковые приборы : учебное пособие	Колосницын, Б. С.; Мигас, Д. Б.
2010	Прибор для определения коэффициента передачи тока транзисторов	Деткова, Р. М.; Смирнова, Н. А.

Showing results 1 to 20 of 30 next >

Browsing by Subject биполярные транзисторы