Skip navigation

Browsing by Subject графен

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 20 of 31  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Output Characteristics of Graphene Field Effect TransistorsMishchenka, V. N.
2019Влияние осаждения частиц кобальта на квантовые поправки к проводимости Друде в твистированном CVD графенеФедотов, А. К.; Прищепа, С. Л.; Федотов, А. С.; Гуменник, В. Э.; Комиссаров, И. В.; Конаков, А. О.; Воробьева, С. А.; Ивашкевич, О. А.; Харченко, А. А.; Prischepa, S. L.
2022ГрафенРуткевич, Л. Д.
2019Интенсивности рассеивания носителей заряда в графене, расположенном на подложке из гексогонального нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2022Использование новых материалов в гибких транзисторахЯнченко, Н. И.
2019Исследование процессов переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах с использованием графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2019Коаксиальный терагерцовый волновод с внешним слоем графенаМалевич, В. Л.
2018Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2020Моделирование выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием графена и гексогонального нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2019Моделирование двухзатворных полевых транзисторов на основе графенаЩукин, Е. А.
2020Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2015Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.
2016Моделирование резонансно-туннельных структур на основе графена : отчет о НИР (заключ.)Коломейцева, Н. В.; Романова, И. А.; Абрамов, И. И.; Щербакова, И. Ю.
2022Моделирование трех- и четырехбарьерных резонансно-туннельных структур на основе графенаПоляков, И. С.
2018Мониторинг степени легирования графена методом Рамановской спектроскопииМихалик, М. М.; Ковальчук, Н. Г.; Нигериш, К. А.; Каргин, Н. И.; Комиссаров, И. В.; Прищепа, С. Л.
2022Нанотехнологии – достижения и перспективыБричковская, М. С.; Тармин, А. М.
2021Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностьюВолчек, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2012Новые материалы в нанотехнологияхКораблев, Д. А.
2017Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2023Применение графена в строительстве и архитектуреТузик, С. И.; Янушкевич, В. В.; Колос, Д. О.; Гвоздовский, Д. Ч.