Issue Date | Title | Author(s) |
2020 | Band Gap of (In2S3)x(AgIn5S8)1-x Single-Crystal Alloys | Bodnar, I. V.; Feschenko, A. A.; Khoroshko, V. V. |
2024 | Cu2ZnGeSe4 single crystals: Growth, structure and temperature dependence of band gap | Bodnar, I. V.; Khoroshko, V. V.; Yashchuk, V. A.; Gremenok, V. F.; Mohsin Kazi; Khandaker, M. U.; Zubar, T. I.; Tishkevich, D. I.; Trukhanov, A. V.; Trukhanov, S. V. |
2017 | Electronic Properties of Bulk and Monolayer TMDs: Theoretical Study Within DFT Framework (GVJ-2e Method) | Gusakova, J.; Wang, X.; Shiau, L. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Gusakov, V. E.; Tay, B. K. |
2017 | Electronic properties of bulk and monolayer TMDs: theoretical study within DFT framework GVJ-2e method | Gusakova, J.; Wang, X.; Shiau, L. L.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.; Gusakov, V. E.; Tay, B. K. |
2017 | Magnetic ordering in doped two-dimensional dichalcogenides | Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J.L. |
2020 | Optical Characteristics of Antireflection Coatings Based on Al2O3-SiO2 for Silicon Solar Cells | Suleymanov, S. X.; Gremenok, V. F.; Khoroshko, V. V.; Ivanov, V. A.; Dyskin, V. G.; Djanklich, M. U.; Kulagina, N. A. |
2021 | Optical Properties of Porous Alumina Assisted Niobia Nanostructured Films–Designing 2-D Photonic Crystals Based on Hexagonally Arranged Nanocolumns | Pligovka, A. N.; Poznyak, A. A.; Norek, M. |
2018 | Quasi-2D silicon structures based on ultrathin Me2Si (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) films | Migas, D. B.; Bogorodz, V. O.; Filonov, A. B.; Borisenko, V. E.; Skorodumova, N. V. |
2023 | Structural and electronic properties of layered graphitic carbon nitride | Shaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Pushkarchuk, V. A.; Pushkarchuk, A. L.; Borisenko, V. E. |
2021 | Temperature dependence of AgIn13S20 single crystal band gap | Bodnar, I. V.; Feschenko, A. A.; Khoroshko, V. V.; Pavlovskii, V. N.; Svitsiankou, I. E.; Yablonskii, G. P. |
2023 | Temperature dependence of the band gap of AgIn7S11 single crystals | Bodnar, I. V.; Feshchanka, A. A.; Khoroshko, V. V.; Pavlovskii, V. N.; Svitsiankou, I. E.; Yablonskii, G. P. |
2021 | The Effect of Compressive and Tensile Strains on the Electron Structure of Phosphorene | Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Štich, I. |
2015 | Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2 | Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Waileong, C.; Gusakova, J.; Tay, B. K. |
2021 | Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена | Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E. |
2017 | Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений | Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е. |
2016 | Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура | Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е. |
2016 | Оптические свойства тонких пленок соединения In2Se3 | Боднарь, И. В.; Bodnar, I. V. |
2022 | Особенности спектров пропускания и значений ширины запрещённой зоны прямозонных полупроводниковых материалов в объёмном и пленочном состояниях | Осмоловская, Т. Н. |
2016 | Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств | Ковалевский, А. А.; Комар, О. М. |
2016 | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In2S3 и AgIn5S8 | Боднарь, И. В.; Bodnar, I. V. |