Skip navigation

Browsing by Subject silicon carbide

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 4 of 4
Issue DateTitleAuthor(s)
2018Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре на основе графенаМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2017Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремнияМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2015Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типаАбрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Лабунов, В. А.; Романова, И. А.; Abramov, I. I.; Kolomejtseva, N. V.; Labunov, V. A.; Romanova, I. A.
2022Формирование SiC методом вакуумной карбидизации на пористом кремнииЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Завацкий, С. А.; Бондаренко, В. П.; Гайдук, П. И.