| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-11-30T07:15:30Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T12:27:06Z | - |
| dc.date.available | 2016-11-30T07:15:30Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T12:27:06Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Борисенко, В. Е. Зонная структура и оптические свойства дихалькогенидов молибдена и вольфрама / В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников // Вестник Фонда фундаментальных исследований. - 2016. - № 3. - С. 41 - 48. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/10480 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты расчетов электронных зонных спектров и диэлектрической функции двумерных (дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2). Установлено, что исследуемые материалы в объёмном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как монослои сульфидов становятся прямозонными полупроводниками со значением ширины запрещённой зоны 1,84 эВ (MoS2) и 1,97 эВ (WS2), при этом прямой переход сдвигается в точку K. Монослои диселенидов молибдена и вольфрама остаются непрямозонными полупроводниками с шириной запрещённой зоны 1,60 эВ и 1,66 эВ, соответственно. Проанализированы возможности создания электронных приборов на основе исследованных материалов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Белорусская наука | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | непрямозонные полупроводники | ru_RU |
| dc.subject | диселениды молибдена | ru_RU |
| dc.subject | диселениды вольфрама | ru_RU |
| dc.subject | монослои | ru_RU |
| dc.subject | электронные зонные спектры | ru_RU |
| dc.title | Зонная структура и оптические свойства дихалькогенидов молибдена и вольфрама | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
