https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11047| Title: | Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» |
| Other Titles: | Insulated-gate bipolar transistor formed in the bulk silicon and using «Silicon on insulator» technology |
| Authors: | Шелибак, И. Ловшенко, И. Ю. Стемпицкий, В. Р. |
| Keywords: | доклады БГУИР;биполярный транзистор;конструкция;технология изготовления;динамические характеристики;isolated gate bipolar transistor;structure;manufacturing technology;static and dynamic characteristics |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Шелибак, И. Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» / И. Шелибак, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 89 – 93. |
| Abstract: | Представлены результаты оптимизации конструктивно-технологических параметров приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ). Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ. Предложена и исследована конструкция БТИЗ на КНИ структуре с несколькими затворами, что обеспечивает ступенчатое изменение коммутируемого тока. |
| Alternative abstract: | The results of the optimization of design and technological parameters device structures insulated- gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI) technology are presented. The specific features of the functioning of various constructive solutions IGBT are studied. A construction of SOI-IGBT structure with multiple gates, which allows a step change in the switched current, is suggested and investigated. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11047 |
| Appears in Collections: | №8 (102) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Shelibak_Bipolyarniy.PDF | 638.01 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.