Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11134
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.contributor.authorЛабунов, В. А.-
dc.contributor.authorМасол, И. В.-
dc.contributor.authorОсинский, В. И.-
dc.contributor.authorЛяхова, Н. Н.-
dc.contributor.authorСуховий, Н. О.-
dc.date.accessioned2017-01-03T12:39:33Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T11:59:38Z-
dc.date.available2017-01-03T12:39:33Z-
dc.date.available2017-07-27T11:59:38Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationГорох, Г. Г. Si/3N нано приборы: второе пришествие кремния / Г. Г. Горох и другие // Мокеровские чтения: сборник трудов 7-й международной конференции. – Москва, НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 47 - 48.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11134-
dc.description.abstractРазработка новых полупроводниковых АIIIBV-материалов для источников света, оптико-электронных сверхвысокочастотных и высокотемпературных устройств является актуальной задачей в течение последних десятилетий. Интеграция электронных элементов с регулярными АIIIBV-структурами на Si приводит к широким возможностям для изобретения сложных функциональных устройств на одном чипе (Si/3N). Самоорганизующиеся диэлектрические пленки, например, пористый анодный оксид алюминия являются перспективными материалами в качестве шаблона для монтажа Si/3N наноустройств. Был разработан научный подход создания новых супер ярких белых светодиодов на основе разнородных материалов и нанопористых структур. Development of new semiconductor АIIIBV-materials for light sources, optoelectronic ultrahigh-frequency and high-temperature devices is an actual task during last decades. Integration of electronic elements with regular АIIIBV-structures on Si leads to wide possibilities for invention of complex functional devices on a single cheap (Si/3N). Self-organized dielectric films, for example, porous anodic alumina are promising materials as a template for mounting of Si/3N nanodevices. The scientific approach of creation of new super bright white LEDs based on heterogeneous materials and nanoporous structures has been developed.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНИЯУ МИФИ, Россияru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectпористый анодный оксид алюминияru_RU
dc.subjectэпитаксиальный ростru_RU
dc.subjectминимизация дефектовru_RU
dc.subjectэпитаксиальные структуры Si/АIIIBVru_RU
dc.subjectporous anodic aluminaru_RU
dc.subjectepitaxial growthru_RU
dc.subjectminimization of defectsru_RU
dc.subjectepitaxial structures Si/АIIIBVru_RU
dc.titleSi/3N нано приборы: второе пришествие кремнияru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:Публикации в изданиях других стран

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
120910.pdf439,42 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.