Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11161
Title: Наноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлия
Authors: Горох, Г. Г.
Лозовенко, А. А.
Осинский, В. И.
Keywords: публикации ученых
пористый анодный оксид алюминия
эпитаксиальный рост
минимизация дефектов
пленки GaN
porous anodic alumina
epitaxial growth
minimization of defects
GaN films
Issue Date: 2016
Publisher: НИЯУ МИФИ, Россия
Citation: Горох, Г. Г. Наноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлия / Г. Г. Горох, А. А. Лозовенко, В. И. Осинский // Мокеровские чтения: сборник трудов 7-й международной конференции. – Москва: НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 97–98.
Abstract: Разработан метод изготовления наноструктурированных темплетно-буферных слоев на кремниевых подложках, основанных на ультра-тонких матрицах нанопористого анодного оксида алюминия (АОА) с наноструктурами III-нитридов, для эпитаксиального наращивания бездефектных слоев нитрида галлия. Он состоит из последовательности нескольких операций - формирование матрицы АОА без барьерного слоя на поверхности пластины, заполнение пор АОА наночастицами нитридов, планиризация поверхности и эпитаксиальный рост пленки GaN на гладкой поверхности. Локальный и селективный эпитаксиальный рост наноструктур из III-нитридов в порах АОА размером менее 50 нм, позволяет получить из нанослои GaN, характеризуемые монокристалличностью с низкой плотностью дислокаций.A method of formation of nanostructured template-buffer layers on the silcon substrates based on ultra-thin nanoporous anodic alumina matrixes with II-nitride nanostructures for epitaxial growth of low defect GaN layers has been developed. It consists of a sequence of several operations - forming of anodic alumina matrix without barrier layer on the wafer surface, filling of the AOA pores by nitride nanoparticles, surface planarization and epitaxial growth of GaN film on the smooth surface. The local and selective epitaxial growth of II-nitride nanostructures in anodic alumina pores of size less than 50 nm alows obtaining of the GaN nanolayers characterized monocrystallinity with ow dislocation density.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11161
Appears in Collections:Публикации в изданиях других стран

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
nano.pdf563,44 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.