https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11161| Название: | Наноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлия |
| Авторы: | Горох, Г. Г. Лозовенко, А. А. Осинский, В. И. |
| Ключевые слова: | публикации ученых;пористый анодный оксид алюминия;эпитаксиальный рост;минимизация дефектов;пленки GaN;porous anodic alumina;epitaxial growth;minimization of defects;GaN films |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издательство: | НИЯУ МИФИ |
| Описание: | Горох, Г. Г. Наноструктурированные темплетно-буферные слои на основе матриц анодного оксида алюминия для эпитаксиального роста пленок нитрида галлия / Г. Г. Горох, А. А. Лозовенко, В. И. Осинский // Мокеровские чтения: сборник трудов 7-й международной конференции. – Москва: НИЯУ МИФИ, 2016. - С. 97–98. |
| Аннотация: | Разработан метод изготовления наноструктурированных темплетно-буферных слоев на кремниевых подложках, основанных на ультра-тонких матрицах нанопористого анодного оксида алюминия (АОА) с наноструктурами III-нитридов, для эпитаксиального наращивания бездефектных слоев нитрида галлия. Он состоит из последовательности нескольких операций - формирование матрицы АОА без барьерного слоя на поверхности пластины, заполнение пор АОА наночастицами нитридов, планиризация поверхности и эпитаксиальный рост пленки GaN на гладкой поверхности. Локальный и селективный эпитаксиальный рост наноструктур из III-нитридов в порах АОА размером менее 50 нм, позволяет получить из нанослои GaN, характеризуемые монокристалличностью с низкой плотностью дислокаций. |
| Аннотация на другом языке: | A method of formation of nanostructured template-buffer layers on the silcon substrates based on ultra-thin nanoporous anodic alumina matrixes with II-nitride nanostructures for epitaxial growth of low defect GaN layers has been developed. It consists of a sequence of several operations - forming of anodic alumina matrix without barrier layer on the wafer surface, filling of the AOA pores by nitride nanoparticles, surface planarization and epitaxial growth of GaN film on the smooth surface. The local and selective epitaxial growth of II-nitride nanostructures in anodic alumina pores of size less than 50 nm alows obtaining of the GaN nanolayers characterized monocrystallinity with ow dislocation density. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11161 |
| Располагается в коллекциях: | Публикации в зарубежных изданиях |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.