Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11172
Title: Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств
Other Titles: Nanostructured titanium disilicide powders: preparation by self-propagating high-temperature synthesis and mechanochemical processes and physicochemical properties
Authors: Ковалевский, А. А.
Комар, О. М.
Kovalevskii, A. A.
Komar, O. M.
Keywords: публикации ученых
наноструктурированные материалы
дисилицид титана
коэффициент поглощения
ширина запрещенной зоны
nanostructured materials
titanium disilicide
absorption coefficient
band gap
Issue Date: 2016
Publisher: Наука, РФ
Citation: Ковалевский, А. А. Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств / А. А. Ковалевский, О. М. Комар // Неорганические материалы. – 2016. – Т. 52, № 10. – С. 1060 – 1068.
Abstract: В процессе «холодного» сплавления наноразмерных порошков кремния с титаном и механохимической активации порошков TiSi2, полученных в результате самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), созданы наноструктурированные порошки дисилицида титана (TiSi2) с полупроводниковыми свойствами. Установлено, что полупроводниковые свойства TiSi2 определяются наномасштабом его кристаллитов. В основе механизма формирования TiSi2, как полупроводникового материала, лежит смена его зонной структуры от проводника к полупроводнику. Такая трансформация происходит при переходе структурной фракции кристаллитов микронных размеров к кристаллитам наноразмеров, причем к наноразмерам ≤ 70 нм, представляющих собой нанокластеры с нарушенным порядком упаковки атомов кремния и титана.Nanostructured titanium disilicide (TiSi2) powders with semiconducting properties have been prepared via cold fusion of silicon and titanium nanopowders and mechanochemical activation of TiSi2 powders prepared by self-propagating high-temperature synthesis. The semiconducting properties of TiSi2 have been shown to be determined by the nanocrystallite size. Basic to the formation of TiSi2 as a semiconductor material is a change in its band structure upon the conversion of the conductor to a semiconductor. The transformation takes place when the crystallite size decreases from microns to the nanometer range (≤70 nm). Such crystallites are nanoclusters with distorted order in the arrangement of the silicon and titanium atoms.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11172
Appears in Collections:Публикации в изданиях других стран

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
110904.pdf1,15 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.