Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11172
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКовалевский, А. А.-
dc.contributor.authorКомар, О. М.-
dc.date.accessioned2017-01-04T10:21:51Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T11:59:31Z-
dc.date.available2017-01-04T10:21:51Z-
dc.date.available2017-07-27T11:59:31Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationКовалевский, А. А. Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств / А. А. Ковалевский, О. М. Комар // Неорганические материалы. – 2016. – Т. 52, № 10. – С. 1060 – 1068.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11172-
dc.description.abstractВ процессе «холодного» сплавления наноразмерных порошков кремния с титаном и механохимической активации порошков TiSi2, полученных в результате самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), созданы наноструктурированные порошки дисилицида титана (TiSi2) с полупроводниковыми свойствами. Установлено, что полупроводниковые свойства TiSi2 определяются наномасштабом его кристаллитов. В основе механизма формирования TiSi2, как полупроводникового материала, лежит смена его зонной структуры от проводника к полупроводнику. Такая трансформация происходит при переходе структурной фракции кристаллитов микронных размеров к кристаллитам наноразмеров, причем к наноразмерам ≤ 70 нм, представляющих собой нанокластеры с нарушенным порядком упаковки атомов кремния и титана.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНаукаru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectнаноструктурированные материалыru_RU
dc.subjectдисилицид титанаru_RU
dc.subjectкоэффициент поглощенияru_RU
dc.subjectширина запрещенной зоныru_RU
dc.subjectnanostructured materialsru_RU
dc.subjecttitanium disilicideru_RU
dc.subjectabsorption coefficientru_RU
dc.subjectband gapru_RU
dc.titleПолучение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойствru_RU
dc.title.alternativeNanostructured titanium disilicide powders: preparation by self-propagating high-temperature synthesis and mechanochemical processes and physicochemical propertiesru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationNanostructured titanium disilicide (TiSi2) powders with semiconducting properties have been prepared via cold fusion of silicon and titanium nanopowders and mechanochemical activation of TiSi2 powders prepared by self-propagating high-temperature synthesis. The semiconducting properties of TiSi2 have been shown to be determined by the nanocrystallite size. Basic to the formation of TiSi2 as a semiconductor material is a change in its band structure upon the conversion of the conductor to a semiconductor. The transformation takes place when the crystallite size decreases from microns to the nanometer range (≤70 nm). Such crystallites are nanoclusters with distorted order in the arrangement of the silicon and titanium atoms.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
110904.pdf1.15 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.