Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11196
Title: Химическое осаждение оксидов олова и цинка в высокоупорядоченные нанопористые матрицы
Authors: Захлебаева, А. И.
Горох, Г. Г.
Пянко, А. В.
Жилинский, В. В.
Keywords: публикации ученых;пористый анодный оксид алюминия;электрохимическое анодирование;металлооксидные пленки;матричные микросистемы
Issue Date: 2016
Publisher: МИЭТ
Citation: Захлебаева, А. И. Химическое осаждение оксидов олова и цинка в высокоупорядоченные нанопористые матрицы / А. И. Захлебаева и другие // Микроэлектроника и информатика-2016: Тезисы докладов 23-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов, 20–22 апреля 2016 г. – Москва : МИЭТ, 2016. - С. 37.
Abstract: Матрицу анодного оксида алюминия формировали методом двухстадийного электрохимического анодирования. Проводили послойное химическое осаждение Sn(OH)2 и ZnOH в матрицу анодного оксида алюминия. Сформированные структуры отжигали при 750°С. Сформированные пленки показали хорошие хемочувствительные свойства.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11196
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
osajd.pdf175.59 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.