Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11227
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШапошников, В. Л.-
dc.contributor.authorКривошеева, А. В.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.date.accessioned2017-01-06T07:22:35Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T11:59:35Z-
dc.date.available2017-01-06T07:22:35Z-
dc.date.available2017-07-27T11:59:35Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationШапошников, В. Л. Электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnS / В. Л. Шапошников, А. В. Кривошеева, В. Е. Борисенко // Доклады Национальной академии наук Беларуси. – 2016. - Т. 60. - № 4. – С. 50 – 55.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11227-
dc.description.abstractТеоретическим моделированием определена электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов сульфида олова (SnS). Рассмотрены низкотемпературная α-SnS и высокотемпературная β-SnS фазы. Обнаружено, что все структуры являются полупроводниками и при увеличении толщины кристаллов характеризуются уменьшением ширины запрещенной зоны до значений, типичных для объемного материала. Рассчитанные значения коэффициентов отражения меньше значений в объемных материалах, а коэффициент поглощения света сопоставим с характеристиками объемного SnS и GaAs.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональная академия наук Беларусиru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectсульфид оловаru_RU
dc.subjectдвумерный кристаллru_RU
dc.subjectзонная структураru_RU
dc.subjectдиэлектрическая функцияru_RU
dc.subjectкоэффициент отраженияru_RU
dc.subjectкоэффициент поглощенияru_RU
dc.subjecttin sulfideru_RU
dc.subjecttwo-dimensional crystalru_RU
dc.subjectband structureru_RU
dc.subjectdielectric functionru_RU
dc.subjectreflection coefficientru_RU
dc.subjectabsorption coefficientru_RU
dc.titleЭлектронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnSru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationThe electronic band spectra and optical properties of 2D crystals of tin sulfide (SnS) were investigated by means of ab initio simulation. Low-temperature (α-SnS) and high-temperature (β-SnS) phases in the form of 2D crystals were considered. All compounds were found to be semiconductors. Their band gaps decrease upon increasing of the number of monolayers approaching to the values of the bulk materials. Calculated reflection coefficients of structures studied are lower than in bulk materials, and the light absorption coefficient has the same order of magnitude as in bulk SnS and GaAs.-
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
electron.docx14.05 kBMicrosoft Word XMLView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.