Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909
Title: Reactive ion etching parameters optimization in victory process
Authors: Volchek, V. S.
Keywords: материалы конференций
reactive ion
victory process
etching parameters optimization
Issue Date: Apr-2015
Publisher: БГУИР
Citation: Volchek, V. S. Reactive ion etching parameters optimization in victory process / V. S. Volchek // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сб. материалов 51-ой науч. конф. аспирантов, магистрантов и студентов учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» (Минск, 13 - 17 апреля 2015 года). - Минск : БГУИР, 2015. – С. 187.
Abstract: A simulation of reactive ion etching (RIE) was carried out using Victory Process of Silvaco to study the influence of input parameters such as ion beam focus and ions/neutrals ratio on the etch profile in silicon.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909
Appears in Collections:Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем: материалы 51-й научной конференции

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Volchek_Reactive.PDF704,71 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.