Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909
Название: Reactive ion etching parameters optimization in victory process
Авторы: Volchek, V. S.
Ключевые слова: материалы конференций;reactive ion;victory process;etching parameters optimization
Дата публикации: 2015
Издательство: БГУИР
Описание: Volchek, V. S. Reactive ion etching parameters optimization in victory process / V. S. Volchek // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : сборник материалов 51-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 мая 2015 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2015. – С. 187.
Аннотация: A simulation of reactive ion etching (RIE) was carried out using Victory Process of Silvaco to study the influence of input parameters such as ion beam focus and ions/neutrals ratio on the etch profile in silicon.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11909
Располагается в коллекциях:Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 51-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2015)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Volchek_Reactive.PDF704.71 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.