Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12603
Название: Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния
Другие названия: Modeling of electrons transfer in silicon carbide semiconductor structures
Авторы: Муравьев, В. В.
Мищенко, В. Н.
Murav'ev, V. V.
Mishchenka, V. N.
Ключевые слова: доклады БГУИР
карбид кремния
процессы переноса электронов
метод Монте-Карло
silicon carbide
electron transfer processes
Monte Carlo method
Дата публикации: 2017
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Муравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 2 (104). - С. 53 - 57.
Краткий осмотр (реферат): Приведены результаты моделирования процессов переноса электронов в трехмерной структуре из 4H-SiC карбида кремния с использованием метода Монте-Карло. Использование материала 4H-SiC по сравнению с другими модификациями карбида кремния позволяет получить ряд преимуществ при изготовлении приборов и последующей эксплуатации. Получены зависимости средней дрейфовой скорости, средней энергии электронов, подвижности электронов, а также коэффициента диффузии от напряженности электрического поля. The results of the simulation of electron transfer processes in the three-dimensional structure of 4H- SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average drift velocity, average energy and electron mobility of electrons and the diffusion coefficient from the electric field are obtained.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12603
Располагается в коллекциях:№2 (104)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Muravyev_Modelirovaniye.PDF588,42 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.