| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-04-13T12:52:13Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:38:07Z | - |
| dc.date.available | 2017-04-13T12:52:13Z | |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:38:07Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 2 (104). - С. 53 - 57. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12603 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты моделирования процессов переноса электронов в трехмерной
структуре из 4H-SiC карбида кремния с использованием метода Монте-Карло. Использование материала
4H-SiC по сравнению с другими модификациями карбида кремния позволяет получить ряд преимуществ
при изготовлении приборов и последующей эксплуатации. Получены зависимости средней дрейфовой
скорости, средней энергии электронов, подвижности электронов, а также коэффициента диффузии от
напряженности электрического поля. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | карбид кремния | ru_RU |
| dc.subject | процессы переноса электронов | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | silicon carbide | ru_RU |
| dc.subject | electron transfer processes | ru_RU |
| dc.subject | Monte Carlo method | ru_RU |
| dc.title | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Modeling of electrons transfer in silicon carbide semiconductor structures | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of the simulation of electron transfer processes in the three-dimensional structure of 4H-
SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average drift velocity,
average energy and electron mobility of electrons and the diffusion coefficient from the electric field are
Obtained. | - |
| Appears in Collections: | №2 (104)
|
