Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12950
Title: Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией
Other Titles: The impruvement of process flow making bipolar static induction transistor and its device-process simulation
Authors: Лагунович, Н. Л.
Борздов, В. М.
Турцевич, А. С.
Keywords: доклады БГУИР;биполярный транзистор;статическая индукция;технологический маршрут изготовления;приборно-технологическое моделирование;bipolar transistor;static induction;making process flow;device-process simulation
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Лагунович, Н. Л. Усовершенствование технологического маршрута изготовления и приборно-технологическое моделирование биполярного транзистора со статической индукцией / Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич // Доклады БГУИР. - 2017. - № 3 (105). - С. 70 - 77.
Abstract: Приведены результаты усовершенствования технологического маршрута изготовления биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) и его приборно-технологического моделирования. Усовершенствование маршрута позволило сократить количество металлизированных промежуточных оригиналов (МПО), используемых при проекционной фотолитографии, на один, и получить экспериментальные образцы транзистора с требуемыми электрическими характеристиками. Приборное моделирование БСИТ было выполнено с использованием разработанных авторами модели транзистора и комплекса программ MOD-1D.
Alternative abstract: The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement and its device-process simulation are presented. The process flow improvement have allowed to reduce number of metal intermediate subject copies (MISC) applied at projection photolithography by one and to receive experimental samples of transistor with required electrical characteristic. The BSIT device simulation was performed with using the developed by authors model of transistor and the software package MOD-1D.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/12950
Appears in Collections:№3 (105)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lagunovich_Usovershenstvovaniye.PDF766.22 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.