Моделирование рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках и полупроводниковых структурах методом Монте-Карло

Abstract

Рассмотрены основные подходы к описанию процесса рассеяния электронов на ионизированной примеси при численном моделировании электрофизических свойств полупроводников и полупроводниковых структур методом Монте-Карло. Показана возможность корректного описания процесса примесного рассеяния с помощью модели Ридли, в рамках которой предложен эффективный алгоритм нахождения полярного угла рассеяния θ. Для сравнения рассмотренных модельных приближений рассчитаны и проанализированы гистограммы угловых распределений и плотности вероятности для величины cos() для легированного объемного кремния при различных значениях концентрации примеси Ni и энергии электрона E.