Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем

Abstract

Рассмотрено влияние гамма-излучения Со60 на параметры тестовых металл-окисел- полупроводник (МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0,35 мкм) КМОП интегральных схем. Установлено, что при облучении происходит значительный сдвиг и уменьшение наклона СV-характеристик тестовых МОП-конденсаторов с толстым окислом (dox = 0,52 мкм); СV-характеристики МОП- структур с dox = 7 нм при облучении дозой D = 104 Гр практически не изменились. Сток- затворные вольтамперные характеристики (ВАХ) n-МОПТ «классической» конструкции при облучении изменились более значительно по токам утечки, чем ВАХ n-МОПТ «кольцевой» конструкции. ВАХ «классических» р-МОПТ при облучении изменились за счет небольшого сдвига в сторону отрицательных напряжений затвора, однако токи утечки р- МОПТ возросли незначительно. Обнаружена корреляция токов утечки «классических» n- МОПТ и токов через паразитный n-МОПТ при облучении в пассивном и активном электрическом режиме.