Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЗеленин, В. А.-
dc.date.accessioned2014-12-11T13:07:52Z
dc.date.accessioned2017-07-12T11:53:40Z-
dc.date.available2014-12-11T13:07:52Z
dc.date.available2017-07-12T11:53:40Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationЗеленин, В. А. Контроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2 / В. А. Зеленин // Доклады БГУИР. - 2012. - № 8 (70). - С. 37 - 43.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2167-
dc.description.abstractРассмотрены пути повышения точности контроля величины остаточных напряжений в структурах диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка. Приведены результаты определения уровня остаточных напряжений в структурах Si–SiO2.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectостаточные напряженияru_RU
dc.subjectдиоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложкаru_RU
dc.titleКонтроль остаточных напряжений в структурах Si–SiO2ru_RU
dc.title.alternativeControl of residual stresses in structures Si–SiO2ru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:№8 (70)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zelenin_Kontrol.PDF704.79 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.