Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25116
Title: Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений
Other Titles: The methodology of modeling of electronic properties of bulk semiconductor compounds
Authors: Кривошеева, А. В.
Шапошников, В. Л.
Борисенко, В. Е.
Keywords: доклады БГУИР;теория функционала электронной плотности;структурная оптимизация;запрещенная зона;диэлектрическая функция;electron density functional theory;structural optimization;band gap;dielectric function
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Кривошеева, А. В. Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 4 (106). - С. 70 - 76.
Abstract: Проведен анализ современных методов моделирования фундаментальных электронных свойств объемных полупроводников на основе теории функционала электронной плотности и предложена методика, учитывающая особенности полупроводниковых соединений. Описана последовательность действий по созданию модели исследуемого объекта и оценки ее адекватности. В качестве примера дано сравнение результатов расчетов электронных спектров и оптических функций MoS2, полученных в рамках различных функционалов. Установлены параметры расчетов, дающие приемлемое описание свойств исследуемого материала в рамках представленной методики.
Alternative abstract: An analysis of modern methods of modeling of the fundamental electronic properties of bulk semiconductors based on the electron density functional theory is performed and a technique taking into account the peculiarities of semiconductor compounds has been proposed. The procedure of creation of a model of the investigated object and an estimation of its adequacy is described. As an example the comparison of the results of calculations of electronic spectra and optical functions of MoS2 obtained in the framework of various functionals is given. The parameters which adequately describe the properties of investigated material in the framework of the presented technique are established.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25116
Appears in Collections:№4 (106)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Krivosheyeva_Metodika.PDF3.94 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.