Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27174
Title: Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках
Authors: Борисов, М. А.
Keywords: материалы конференций;халькогенидные полупроводники;память
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Борисов, М. А. Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках / М. А. Борисов // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХV Белорусско-российской науч.-техн. конф. (Минск, 6 июня 2017 г.). – Минск : БГУИР, 2017. – С. 80 - 81.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27174
Appears in Collections:ТСЗИ 2017

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borisov_Effekty.PDF413.47 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.