Разработать технологию формирования и исследовать свойства полупроводниковых пленок оксида цинка на кремниевых пластинах с буферными слоями пористого кремния : отчет о НИР (заключ.)

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27803

Title:	Разработать технологию формирования и исследовать свойства полупроводниковых пленок оксида цинка на кремниевых пластинах с буферными слоями пористого кремния : отчет о НИР (заключ.)
Authors:	Бондаренко, В. П. Чубенко, Е. Б. Долгий, Л. Н. Бондаренко, А. В. Абрамов, К. И. Гирель, К. В.
Issue Date:	2014
Publisher:	БГУИР
Citation:	Разработать технологию формирования и исследовать свойства полупроводниковых пленок оксида цинка на кремниевых пластинах с буферными слоями пористого кремния : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР ; научный руководитель В. П. Бондаренко ; отв. исполнитель Е. Б. Чубенко . – Минск, 2014. – 87 с. - № ГР 20115141
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27803
Appears in Collections:	Отчеты о НИР 2014

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
№ ГР 20115141 (11-3019).pdf Restricted Access		12.1 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy