| Title: | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN |
| Authors: | Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | публикации ученых;гетероструктура;GaN;метод Монте-Карло;диапазоны СВЧ и КВЧ;heterostructure;GaN;Monte Carlo method;SHF and EHF bands |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | БГУ |
| Citation: | Мищенко, В. Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из GaN / В. Н. Мищенко // Материалы и структуры современной электроники: VII-я Международная научно-техническая конференция (Минск, 12 - 13 октября 2016 г.). – Минск: БГУ. - С. 84 – 87. |
| Abstract: | Исследование электронного транспорта в полупровод-никовых структурах из нитрида галлия (GaN) вызывает интерес, связанный с разработкой лазеров, светоизлучающих диодов, транзисторов диапазонов СВЧ и КВЧ, в которых используются гетероструктуры вида InGaN/GaN и AlGaN/GaN. Материал GaN относится к группе широкозонных полупроводниковых материалов с шириной запрещенной зоны равной 3,5 эВ. В этом материале сочетаются такие положительные свойства как высокая тепловая проводимость и большая величина напряжения пробоя. |
| Alternative abstract: | The study of electron transport in semiconductor structures of gallium nitride (GaN) is of interest related to the development of lasers, light-emitting diodes, transistors of the microwave and EHF bands, in which InGaN / GaN and AlGaN / GaN heterostructures are used. The GaN material belongs to the group of wide-band semiconductor materials with a band gap of 3.5 eV. This material combines such positive properties as high thermal conductivity and high breakdown voltage. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27977 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
