Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29414
| Title: | Влияние импульсного излучения оптического диапазона на электрические характеристики МОП транзисторов в КНИ структурах |
| Authors: | Санковский, М. В. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;импульсное излучение;оптический диапазон;МОП транзистор;КНИ структура |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Санковский, М. В. Влияние импульсного излучения оптического диапазона на электрические характеристики МОП транзисторов в КНИ структурах : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / М. В. Санковский ; науч. рук. В. П. Бондаренко. - Минск : БГУИР, 2017. - 6 с. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29414 |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
