Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30095
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛовшенко, И. Ю.-
dc.contributor.authorВолчек, В. С.-
dc.contributor.authorДао Динь Ха-
dc.contributor.authorХанько, В. Т.-
dc.contributor.authorОмер, Д. С.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.date.accessioned2018-02-21T07:41:20Z-
dc.date.available2018-02-21T07:41:20Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationТехнологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия / И. Ю. Ловшенко и др. // Телекоммуникации: сети и технологии, алгебраическое кодирование и безопасность данных : материалы международного научно-технического семинара (Минск, апрель – декабрь 2017 г.) – Минск : БГУИР, 2017. – С. 70-76.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30095-
dc.description.abstractОписаны преимущества и недостатки применения нитрида галлия (GaN) по сравнению с другими полупроводниковыми материалами микроэлектроники. Показано, что высокая термическая, химическая и радиационная стойкость GaN позволяет использовать его для изготовления приборов, работающих при повышенных температурах и в экстремальных условиях, а его высокая теплопроводность упрощает охлаждение рабочей области. Определено, что сочетание высокой подвижности электронов и значительного поля пробоя делает его пригодным для изготовления мощных высокочастотных и высокотемпературных транзисторов. Рассмотрены конструктивные решения и технологические методы формирования приборных структур на основе GaN.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectнитрид галлияru_RU
dc.subjectтехнологияru_RU
dc.subjectприборная структураru_RU
dc.subjectgallium nitrideru_RU
dc.subjectdevice structureru_RU
dc.titleТехнологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлияru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationAdvantages and disadvantages of gallium nitride (GaN) usage in comparison with other microelectronics semiconductor materials are described. It is shown that high thermal, chemical and radiation resistance of GaN makes possible to use it for the manufacture of devices operating at elevated temperatures and under extreme conditions, and high thermal conductivity simplifies the cooling of the working region. It is determined that combination of high mobility of electrons and a significant breakdown field makes it suitable for the manufacture of high-power high-frequency and high-temperature transistors. The design solutions and technological methods for the formation of based on GaN devices are proposed.-
Appears in Collections:Телекоммуникации 2017

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lovshenko_Tekhnologicheskiye.PDF365.58 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.