Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30711
Title: Материалы и процессы формирования самосовмещённых плёночных структур изделий твёрдотельной электроники и микроэлектроники
Other Titles: Materials and technologies of self-aligned thin film structures formation for solid-state devices and VLSI applications
Authors: Баранов, В. В.
Baranov, V. V.
Keywords: доклады БГУИР
переходные металлы
кремний
твердофазные реакции
Issue Date: 2004
Publisher: БГУИР
Citation: Баранов, В. В. Материалы и процессы формирования самосовмещённых плёночных структур изделий твёрдотельной электроники и микроэлектроники / В. В. Баранов // Доклады БГУИР. - 2004. - № 3 (7). - С. 103 - 117.
Abstract: Систематизированы опубликованные результаты исследований автора в области материа- лов пленочных элементов твердотельных приборов и интегральных микросхем и техноло- гии их формирования с использованием принципа самосовмещения топологического ри- сунка. Рассмотрены физические основы создания самосовмещенных твердотельных струк- тур с заданными свойствами на основе силицидов и оксидов переходных металлов, таких, как Ta, Nb, Mo, Al, Ni, Co, Pt, Pd, сплавы W–Ti, Mo–Re и другие на пластинах монокристал- лического кремния в инертных и химически активных средах. Кратко описаны использо- ванные методики контроля основных свойств твердотельных структур и важнейшие зако- номерности их формирования, в том числе, установленные эффекты изменения основного диффундирующего компонента при высокотемпературном синтезе силицидов кобальта, восходящей диффузии при обработке структур ионными пучками высоких энергий, образо- вания "релаксационного слоя" вблизи границы раздела фаз. Приведены сведения об исполь- зовании предложенных материалов и разработанных процессов в изделиях твердотельной электроники и микроэлектроники.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30711
Appears in Collections:№3 (7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Baranov_Materials.pdf1,21 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.