Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744
Название: Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели
Другие названия: Investigation of GaAs/AlAs double-barrier resonant tunnel structure with the use of combined two-band model
Авторы: Абрамов, И. И.
Гончаренко, И. А.
Коломейцева, Н. В.
Abramov, I. I.
Goncharenko, I. A.
Kolomejtseva, N. V.
Ключевые слова: доклады БГУИР
резонансно-туннельная структура
двухзонная модель
пиковый ток
Дата публикации: 2004
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Абрамов, И. И. Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, Н. В. Коломейцева // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 42 - 46.
Краткий осмотр (реферат): В данной работе проведено исследование влияния Г-Х рассеяния и температуры на вольт- амперные характеристики (ВАХ) двухбарьерной резонансно-туннельной структуры (РТС) на основе GaAs/AlAs с протяженными областями с использованием разработанной комби- нированной двухзонной модели. Предложенная модель основана на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона и включена в систему моделирования нано- электронных приборов NANODEV. С использованием двухзонной модели показано, что учет Г-Х рассеяния существенно влияет на электрические характеристики прибора.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744
Располагается в коллекциях:№4 (8)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Abramov_Investigation.pdf585,46 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.