https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744| Title: | Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели |
| Other Titles: | Investigation of GaAs/AlAs double-barrier resonant tunnel structure with the use of combined two-band model |
| Authors: | Абрамов, И. И. Гончаренко, И. А. Коломейцева, Н. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;резонансно-туннельная структура;двухзонная модель;пиковый ток |
| Issue Date: | 2004 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Абрамов, И. И. Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, Н. В. Коломейцева // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 42 - 46. |
| Abstract: | В данной работе проведено исследование влияния Г-Х рассеяния и температуры на вольт- амперные характеристики (ВАХ) двухбарьерной резонансно-туннельной структуры (РТС) на основе GaAs/AlAs с протяженными областями с использованием разработанной комби- нированной двухзонной модели. Предложенная модель основана на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона и включена в систему моделирования нано- электронных приборов NANODEV. С использованием двухзонной модели показано, что учет Г-Х рассеяния существенно влияет на электрические характеристики прибора. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744 |
| Appears in Collections: | №4 (8) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Investigation.pdf | 585.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.