Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748
Title: Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода
Other Titles: The influence of interface charge and scattering parameters on I-V characteristics of rеsonant tunneling diode
Authors: Абрамов, И. И.
Гончаренко, И. А.
Abramov, I. I.
Goncharenko, I. A.
Keywords: доклады БГУИР
РТД
ВАХ
рассеяние на оптических фононах
поверхностный заряд
Issue Date: 2004
Publisher: БГУИР
Citation: Абрамов, И. И. Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 37 - 41.
Abstract: Описана модифицированная численная комбинированная модель резонансно-туннельного диода (РТД), основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассо- на. Кроме эффектов самосогласованного поля, взаимодействия классических и квантовоме- ханических областей РТД, она позволяет учитывать рассеяние на оптических фононах в квантовой яме, а также наличие поверхностного заряда на границе раздела двух сред. С использованием предложенной комбинированной модели проведено исследование влия- ния параметров рассеяния и поверхностного заряда на вольт-амперные характеристики (ВАХ) РТД.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748
Appears in Collections:№4 (8)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Abramov_The.pdf611,46 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.