Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАбрамов, И. И.-
dc.contributor.authorГончаренко, И. А.-
dc.contributor.authorAbramov, I. I.-
dc.contributor.authorGoncharenko, I. A.-
dc.date.accessioned2018-03-29T07:21:29Z-
dc.date.available2018-03-29T07:21:29Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationАбрамов, И. И. Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 37 - 41.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748-
dc.description.abstractОписана модифицированная численная комбинированная модель резонансно-туннельного диода (РТД), основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассо- на. Кроме эффектов самосогласованного поля, взаимодействия классических и квантовоме- ханических областей РТД, она позволяет учитывать рассеяние на оптических фононах в квантовой яме, а также наличие поверхностного заряда на границе раздела двух сред. С использованием предложенной комбинированной модели проведено исследование влия- ния параметров рассеяния и поверхностного заряда на вольт-амперные характеристики (ВАХ) РТД.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectРТДru_RU
dc.subjectВАХru_RU
dc.subjectрассеяние на оптических фононахru_RU
dc.subjectповерхностный зарядru_RU
dc.titleИсследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диодаru_RU
dc.title.alternativeThe influence of interface charge and scattering parameters on I-V characteristics of rеsonant tunneling dioderu_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№4 (8)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Abramov_The.pdf611,46 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.