Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811
Название: Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN
Другие названия: Research of electron transfer features in GaN semiconductor devices
Авторы: Муравьев, В. В.
Тамело, А. А.
Мищенко, В. Н.
Muraviev, V. V.
Tamelo, A. A.
Mishchenko, V. H.
Ключевые слова: доклады БГУИР
нитриды
миллиметровые волны
метод Монте-Карло
частоты рассеяния
Дата публикации: 2004
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Муравьев, В. В. Исследование особенностей переноса электронов в полупроводниковых приборах на основе GaN / В. В. Муравьев, А. А. Тамело, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 13 - 20.
Краткий осмотр (реферат): В статье приводятся результаты исследования особенностей переноса электронов в мате- риале GaN. Наиболее общим подходом при моделировании движения электронов в полу- проводниковых структурах является использование уравнения Больцмана, для численного решения которого используется метод Монте-Карло. Определены основные электрофизиче- ские параметры материала GaN, которые необходимы для исследования переноса носителей заряда с использованием метода Монте-Карло. Рассчитаны значения частот рассеяния элек- тронов в материале GaN.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30811
Располагается в коллекциях:№4 (8)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Muraviev_Research.pdf653,96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.