| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Алексеев, В. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Ковальков, Д. О. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-06T08:59:38Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-06T08:59:38Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Алексеев, В. Ф. Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора / В. Ф. Алексеев, Д. О. Ковальков // Известия Белорусской инженерной академии. - Минск, 2005. – № 2 (20)/1. – С.51–55. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30889 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрено влияние поверхностного заряда на обратный ток транзистора, влияние скорости поверхностной рекомбинации окисленной поверхности транзистора на коэффициент усиления транзистора. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Белорусский инженерная академия | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | поверхностная рекомбинация | ru_RU |
| dc.subject | граница раздела Si-SiO2 | ru_RU |
| dc.subject | механизм влияния | ru_RU |
| dc.subject | коэффициент усиления | ru_RU |
| dc.title | Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистора | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
