Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей
Other Titles: Temperature characteristics of silicon photoelectronic multipliers
Authors: Асаёнок, М. А.
Горбадей, О. Ю.
Зеневич, А. О.
Asayonak, M. A.
Gorbadey, O. Yu.
Zenevich, A. O.
Keywords: доклады БГУИР
кремниевые фотоэлектронные умножители
коэффициент усиления фототока
микроплазменный пробой
silicon photoelectric multipliers
photocurrent gain
microplasma breakdown
Issue Date: 2018
Publisher: БГУИР
Citation: Асаёнок, М. А. Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей / М. А. Асаёнок, О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич // Доклады БГУИР. - 2018. - № 2 (112). - С. 54 - 58.
Abstract: Представлены результаты исследований температурных зависимостей коэффициентов умножения темнового тока и фототока для кремниевых фотоэлектронных умножителей. Показано, в какой степени снижение температуры влияет на изменение коэффициента усиления фототока и приводит к уменьшению последовательного сопротивления микроплазменного пробоя. The investigations results of the temperature dependences of the multiplication coefficients of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what extent the decrease in temperature effects to the change in the photocurrent gain and leads to a decrease of the series resistance of the microplasma breakdown.
Appears in Collections:№2 (112)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Asayenok_Temperaturnyye.PDF422,13 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.