Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30901
Название: Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей
Другие названия: Temperature characteristics of silicon photoelectronic multipliers
Авторы: Асаенок, М. А.
Горбадей, О. Ю.
Зеневич, А. О.
Ключевые слова: доклады БГУИР;кремниевые фотоэлектронные умножители;коэффициент усиления фототока;микроплазменный пробой;silicon photoelectric multipliers;photocurrent gain;microplasma breakdown
Дата публикации: 2018
Издательство: БГУИР
Описание: Асаёнок, М. А. Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей / М. А. Асаёнок, О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич // Доклады БГУИР. - 2018. - № 2 (112). - С. 54 - 58.
Аннотация: Представлены результаты исследований температурных зависимостей коэффициентов умножения темнового тока и фототока для кремниевых фотоэлектронных умножителей. Показано, в какой степени снижение температуры влияет на изменение коэффициента усиления фототока и приводит к уменьшению последовательного сопротивления микроплазменного пробоя.
Аннотация на другом языке: The investigations results of the temperature dependences of the multiplication coefficients of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what extent the decrease in temperature effects to the change in the photocurrent gain and leads to a decrease of the series resistance of the microplasma breakdown.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30901
Располагается в коллекциях:№2 (112)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Asayenok_Temperaturnyye.PDF422.13 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.