Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922
Title: Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов
Other Titles: Using temperature as imitation factor in forecasting gradual failures of semiconductor devices
Authors: Боровиков, С. М.
Бересневич, А. И.
Baravikou, S. M.
Berasnevich, A. I.
Keywords: доклады БГУИР
полупроводниковые приборы
постепенные отказы
имитационный фактор
статистическая аналогия
прогнозирование
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Боровиков, С. М. Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич // Доклады БГУИР. - 2005. - № 3 (11). - С. 78 - 82.
Abstract: В данной работе с помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов для функционального параметра (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмит- тером) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, вызываемыми дей- ствием температуры как имитационного фактора, и изменениями, обусловленными дли- тельной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента кор- реляции более 0,8) является доказательством возможности использования температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупровод- никовых приборов методом имитационных воздействий.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922
Appears in Collections:№3 (11)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Baravikou_Using.pdf325,57 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.