Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30973
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБогуш, В. А.-
dc.date.accessioned2018-04-11T11:33:13Z-
dc.date.available2018-04-11T11:33:13Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationБогуш, В. А. Структурные свойства химически осажденных тонких пленок серебра с вольфрамом / В. А. Богуш // Доклады БГУИР. - 2003. - № 3. - С. 53 - 59.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30973-
dc.description.abstractОписана методика формирования и особенности элементного состава и микроструктуры тонких пленок серебра с вольфрамом. Осаждение производилось на поверхность активированного палладием полированного оксида кремния химическим восстановлением из водных растворов. Использование аммиачно-ацетатного или бензоатного комплекса серебра обеспечивает высокую стабильность электролитов. Изучались кинетика осаждения, структурные и электрические свойства тонких пленок в диапазоне толщин от 30 до 200 нм. Обсуждается влияние вольфрама на механизм формирования осадков. Показано, что серебряные пленки, содержащие 0,4–0,6 ат. % вольфрама, обладают повышенной электрической проводимостью и коррозионной стойкостью, что объясняется более плотной структурой осадков вследствие сегрегации вольфрама на границах зерен. Обсуждается возможное применение разработанных методик для формирования проводящих и защитных слоев в изделиях электронной техники и микроэлектронике.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectсереброru_RU
dc.subjectвольфрамru_RU
dc.subjectхимическое осаждениеru_RU
dc.subjectметаллизацияru_RU
dc.subjectтонкие пленкиru_RU
dc.titleСтруктурные свойства химически осажденных тонких пленок серебра с вольфрамомru_RU
dc.title.alternativeStructure properties of electroless deposited silver with tungsten thin filmsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThis paper presents deposition technology, composition and microstructure features of silver with tungsten thin films. The deposition was performed on palladium activated silicon oxide surface by electroless method. Using of ammonia-acetate or benzoate silver complexes provides high stability of electrolytes. The deposition kinetics, structure and electrical properties of thin films were studied in the thickness range from 30 to 200 nm. Influence of tungsten on the mechanism of deposition is discussed. It’s shown that silver films containing 0.4–0.6 atom % of tungsten have demonstrated the increased electrical conductivity and corrosion stability. This observation may be explained by higher deposits density due to tungsten grain boundaries segregation. Possible applications of developed technology for interconnect and protective layers deposition in electronics and microelectronics were Discussed.-
Appears in Collections:№3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bogush_Strukturnyye.pdf505.05 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.