Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31076
Название: Period multiplication and chaotic dynamics in a semiconductor with the Gunn instability
Авторы: Shalatonin, V.
Mishchenko, V.
Ключевые слова: доклады БГУИР;nonlinear dynamics;arsenid gallium;strange attractor;chaotic oscillations;Gunn- effect model
Дата публикации: 2003
Издательство: БГУИР
Описание: Shalatonin, V. Period multiplication and chaotic dynamics in a semiconductor with the Gunn instabilit / V. Shalatonin, V. Mishchenko // Доклады БГУИР. - 2003. - № 4. - С. 59 - 62.
Аннотация: На основе дрейф-диффузионной модели разработана программа расчета процессов переноса и нелинейной динамики колебаний в GaAs полупроводниках с эффектом Ганна. Показано, что нелинейное взаимодействие характеризуется умножением периода колебаний и возникновением странных хаотических аттракторов.
Аннотация на другом языке: A drift-diffusion Gunn effect model is used to analyse complex behaviour of the natural and driven Gunn oscillations. The results of the numerical simulation are presented. It was shown that Gunn devices might exhibit quite complicated nonlinear dynamics, such as period multiplication and strange chaotic attractors.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31076
Располагается в коллекциях:№4

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Shalatonin_Period.pdf209.52 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.