Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31196
Title: Влияние режимов формирования полиимидной пленки на электрофизические характеристики многоуровневой металлизации субмикронных БИС
Other Titles: Effect of polyimide film formation conditions on electrophysical characteristics of multilevel metallization of submicron LSI
Authors: Сенько, С. Ф.
Емельянов, А. В.
Keywords: доклады БГУИР;многоуровневая металлизация;межуровневый диэлектрик;полипиромеллитимид;межфазное взаимодействие;надежность
Issue Date: 2007
Publisher: БГУИР
Citation: Сенько, С. Ф. Влияние режимов формирования полиимидной пленки на электрофизические характеристики многоуровневой металлизации субмикронных БИС / С. Ф. Сенько, А. В. Емельянов // Доклады БГУИР. - 2007. - № 2 (18). - С. 85 - 94.
Abstract: Исследованы кинетика имидизации полипиромеллитамидной кислоты в тонких пленках и влияние режимов ее термообработки на электрофизические характеристики многоуровневой системы металлизации ИС. Показано, что увеличение температуры процесса имидизации сокращает время операции, но при этом ухудшаются электрические характеристики формируемого межуровневого диэлектрика. Обеспечение приемлемой адгезии металла к полиимиду за счет ступенчатой термообработки сопровождается повышением устойчивости системы металлизации к электромиграции при одновременном снижении напряжения пробоя диэлектрика. Сохранение высоких диэлектрических характеристик полиимидной пленки достигается при одностадийной термообработке с последующей модификацией поверхности для обеспечения приемлемой адгезии между слоями. Для повышения устойчивости полученной системы металлизации к электромиграции рекомендуется проводить двухстадийную термообработку металлической пленки сначала во влажной атмосфере, а затем — в сухой.
Alternative abstract: The investigation is made of imidization kinetics of polypyromellitamic acid in thin films and effect of the acid heat treatment conditions on electrophysical characteristics of LSI multilevel metallization system. The increase of imidization process temperature is shown to shorten the operation time but this leads to degrading the electrical characteristics of a formed interlevel dielectric. The acceptable metal-polyimide adhesion is ensured due to a two-stage heat treatment which is accompanied by increasing the electromigration stability of metallization system with simultaneous decrease of dielectric breakdown voltage. The retention of high dielectric characteristics of polyimide film is achieved during single-stage treatment with subsequent surface modifying for the purpose of ensuring an acceptable adhesion between layers. In order to increase electromigration stability of obtained metallization system it is recommended to carry out a two-stage heat treatment of a metal film first in a wet atmosphere and then in a dry one.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31196
Appears in Collections:№2 (18)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sianko_Effect.pdf836.96 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.