R, С элементы интегральных микросхем на основе наноструктурных вентильных металлов и композиционных металлоксидов

Abstract

В данной работе с помощью методов электрохимического анодирования тонкопленочной системы из алюминия и тантала (Al/Та) синтезированы массивы многослойных проводниковых и диэлектрических наноструктур, которые затем использованы для создания высокоомных термостабильных электрорезистивных слоев, высококачественных нанокомпозиционных диэлектриков и низкоомных токоведущих проводников. Улучшенные характеристики R, С элементов на основе анодированных систем Al/Та достигаются благодаря низкоразмерной периодической структуризации пленок Та в диапазоне от 300 до 5 нанометров и уникальному химическому составу нанокомпозиционных металлоксидных диэлектриков.