Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31735
Title: Исследование профилей на границе раздела Al–Al2O3 при глубоком локальном анодировании Al
Other Titles: Investigation of Al–Al2O3 interface profiles during the deep local anodization of Al
Authors: Сокол, В. А.
Шиманович, Д. Л.
Сякерский, В. С.
Sokol, V. A.
Shimanovich, D. L.
Syakersky, V. S.
Keywords: доклады БГУИР
алюминий
электрохимическое анодирование
плотный оксид алюминия
пористый оксид алюминия
фотолитографическая маска
коэффициент объемного роста
Issue Date: 2009
Publisher: БГУИР
Citation: Сокол, В. А. Исследование профилей на границе раздела Al–Al2O3 при глубоком локальном анодировании Al / В. А. Сокол, Д. Л. Шиманович, В. С. Сякерский // Доклады БГУИР. - 2009. - № 6 (44). - С. 36 - 41.
Abstract: Представлена теоретическая модель поведения границы раздела плотный–пористый оксид алюминия в процессе роста пористого оксида в присутствии маски из плотного оксида. Исследованы реальные профили бокового ухода под маску на границе раздела Аl–Al2O3 при глубоком локальном анодировании Al (до 150 мкм). Проведен сравнительный анализ таких профилей бокового ухода в присутствии фоторезистивной маски и маски из плотного анодного оксида. Показано, что маскирование плотным Al2O3 является наиболее эффективным и надежным при длительном толстослойном пористом анодировании (боковой уход не превышает 10% от толщины оксида).Theoretical model of dense alumina-porous alumina interface behavior during the porous oxide growth in the presence of the dense oxide mask has been represented. Real profiles of the oxide lateral drift under the mask at the Al2O3–Al interface during the deep local anodization of Al (up to 150 μm) have been investigated. Such lateral drift profiles in the presence of photoresist mask and dense anodic oxide mask have been comparative analyzed. It was shown, that the masking with dense Al2O3 is the most effective and reliable technique in the process of long-term thick layer porous anodization (the oxide lateral drift under the mask does not exceed 10–12% of the oxide layer thickness).
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31735
Appears in Collections:№6 (44)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sokol_Investigation.PDF621,78 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.