Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196
Название: Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии
Другие названия: Physical properties in light emitting diodes on nanostructured silicon
Авторы: Жагиро, П. В.
Губаревич, А. А.
Кацуба, П. С.
Салимьянов, В. М.
Смирнов, А. Г.
Ключевые слова: доклады БГУИР;кремниевые светоизлучающие диоды;электролюминесценция;диод Шоттки;наноструктурированный кремний
Дата публикации: 2008
Издательство: БГУИР
Описание: Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии / П. В. Жагиро и другие // Доклады БГУИР. - 2008. - № 5 (35). - С. 35 - 41.
Аннотация: Рассмотрены основные проблемы экспериментального исследования физических процессов в светоизлучающих диодах на пористом кремнии. Проведен краткий анализ соответствую­ щих физических процессов и методов их исследования. Предлагаемые экспериментальные и технологические решения направлены на улучшение воспроизводимости эксперимен­тальных результатов, создание основы для построения адекватных теоретических моделей, а также на практическую реализацию кремниевых светодиодов с улучшенной эффектив­ностью.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196
Располагается в коллекциях:№5 (35)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Zhagiro_Fizicheskiye.PDF261.82 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.