| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дао Динь Ха | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-13T07:10:03Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-13T07:10:03Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Дао Динь Ха. Частотные характеристики интегральных датчиков Холла / Дао Динь Ха, В. Р. Стемпицкий // Доклады БГУИР. - 2018. - № 4 (114). - С. 64 - 70. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32563 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты приборно-технологического и схемотехнического моделирования
кремниевого датчика Холла с целью определения его динамических характеристик. Исследовано
влияние размеров активной области, определены теоретическое и фактическое значения верхнего
предела полосы пропускания датчика Холла с учетом внутренней паразитной емкости, а также
при наличии и отсутствии емкостной нагрузки. Промоделированы характеристики датчика Холла,
совмещенного на одном кристалле с дифференциальным усилителем. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | датчик Холла | ru_RU |
| dc.subject | приборно-технологическое моделирование | ru_RU |
| dc.subject | схемотехническое моделирование | ru_RU |
| dc.subject | емкостная нагрузка | ru_RU |
| dc.subject | дифференциальный усилитель | ru_RU |
| dc.subject | Hall sensor | ru_RU |
| dc.subject | device-technological simulation | ru_RU |
| dc.subject | schematic simulation | ru_RU |
| dc.subject | capacitive load | ru_RU |
| dc.subject | differential amplifier | ru_RU |
| dc.title | Частотные характеристики интегральных датчиков Холла | ru_RU |
| dc.title.alternative | Frequency characteristics of integral Hall sensor | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of device-technological and schematic simulation of the silicon Hall sensor
with the purpose of determine its dynamic characteristics are presented. The influence of the dimensions
of the active region is investigated, the theoretical and actual values of the upper limit of the bandwidth
of the Hall sensor are determined, taking into account the internal parasitic capacitance, and the presence
and absence of a capacitive load. The characteristics of the Hall sensor combined on a single crystal
with a differential amplifier are simulated. | - |
| Appears in Collections: | №4 (114)
|
